合肥静态平板探测器技术参数

    数字图像的密度分辨率高。普通屏片组合X线照片的密度分辨率只能达到26灰阶，而数字图像的密度分辨率可达到210-12灰阶。虽然人眼对灰阶的分辨率有一定的限度，但固有数字图像可通过变化窗宽、窗位、转换曲线等技术，可使全部灰阶分段得到充分显示。从而扩大了密度分辨率的信息量，扩大照片的诊断范围。如普通屏片组合X线胸部正位片的纵隔、心影后肺组织观察不清，与双膈肌重叠的肋骨也无法观察，如有骨折极易漏诊，但DR照片可以通过调节窗宽、窗位、转换曲线等技术，很清楚看到纵隔、心影后肺组织病变，与膈肌重叠的肋骨也能显示清楚等。 平板探测器是数字化 X 线影像系统**部件之一。合肥静态平板探测器技术参数

    像素单元是一个面积单位，相当于每个薄膜晶体管单元为139微米×139微米，整块43厘米×43厘米的面积布满了944万像素单元，近千万像素，对应的一般分辨率在3.6LP/mm,毫米单元可以看到3.6个线对，清晰度非常高，可以清晰到看到骨纹理的细节。设计单元太大，则无法看到病灶点的细节，而像素单元太小，则需要提高每个像素单元的入射光子数量，则提高了X光的剂量，对被照体产生伤害。139微米的比较好设计即保障了清晰度，同时也充分利用了入射剂量，减少了对被照体的伤害。除了薄膜晶体管阵列对应的像素单元，芯片设计的是否直接bonding在TFT上也是一个**工艺，一般分为直接bonding在TFT上，该技术为CHIPONGLASS,“COG”。该技术无中间层，提高了转换率无中间层衰减。其它技术则通过软性电路板中间层连接，提高了损耗。总结来看，直接生长工艺的碘化铯非晶硅TFT平板、具备毫秒级反应的工作流、139微米的像素单元设计和芯片直接bonding在TFT上，为目前平板的**设计和比较好设计。 DR技术是**快速高效的射线成像技术之一，可以在几秒钟内获得数字图像。

    X射线检测技术目前可以分为CR和DR技术，CR就是计算机X射线成像系统，使用成像板IP作为图像载体来代替传统的X射线胶片，并使用与传统X射线摄影相同的投影技术来曝光成像X射线检查板。同时，记录X射线图像信息，并且在对该信息进行读取和处理之后，可以获得数字X射线图像信号；DR则是数字化X射线摄影系统，是指在计算机的控制下直接读取感应介质记录的X射线图像信息，并以数字图像模式复制或记录图像的技术方法。它由检测板，扫描控制器，系统控制器和图像显示器组成，它们通过电缆串联在一起，使用方法更简洁。

    X光机是一种将电能转化为X光的设备，普通X光机主要由控制台、高压发生器、机头、工作台及各种机械装置组成。这种装置是通过X光管实现的，所以X光管成为X光机的内核部件。因为每根X射线管的材料和结构都已经确定，所以极间绝缘强度和阳极热容量是有限的。工作时管电压、管电流和施加管电压的时间的任何组合都不能超过X射线管的公差，否则有立即损坏X射线管的危险。X射线机的高压部分、控制部分、灯丝加热部分、过载保护部分和限时部分均设置好，以保证X射线管的正常工作。 X-ray检测是一种无损的物理**方法，在不破坏芯片情况下，利用X射线**元器件，检测内部封装情况。

    量子探测效率(DQE)是一种对成像系统信号和噪声从输入到输出的传输能力的表达，以百分比表示。DQE反映的是平板探测器的灵敏度、噪声、X线剂量和密度分辨率。在非晶硅平板探测器中，影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。1、闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力，所以对DQE会产生影响。闪烁体涂层材料有两种：碘化铯和硫氧化钆。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强但成本比较高；将碘化铯加工成柱状结构，可以进一步提高捕获X线的能力，减少散射光。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速率快，性能稳定，成本较低，但是转换效率不如碘化铯涂层高。2、将闪烁体产生的可见光转换成电信号的方式也会对DQE产生影响。在碘化铯(或者硫氧化钆)薄膜晶体管这种结构的平板探测器中，因为TFT的阵列可以做成与闪烁体涂层的面积一样大，所以可见光不需要经过透镜折射就可以投射到TFT上，没有光子损失，所以DQE也比较高;在非晶硒平板探测器中，X线转换成电信号完全依赖于非晶硒层产生的电子空穴对，DQE的高低取决于非晶硒层产生电荷能力。总的说来，CsITFT这种结构的间接转换平板探测器的极限DQE高于a-Se直接转换平板探测器的极限DQE。静态平板探测器侧重分辨率和感光效率，在图像性能上强调单帧大动态范围。青岛动态平板探测器厂家直销

窗宽（window width）表示所显示信号强度值的范围。合肥静态平板探测器技术参数

    CMOS，即互补金属氧化物半导体，是组成芯片的基本单元。CMOS技术听着很高级，其实离我们很近，几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片，与CMOS平板异曲同工。与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同，CMOS探测器的衬底是单晶硅，其电子迁移率是1400cm^2/VS，这是制作晶圆的重要材料。所谓CMOS平板探测器，是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路，以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的比较大区别)，将信号放大后再传输到外面。因此，具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。 合肥静态平板探测器技术参数

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